FCPF190N60E - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FCPF190N60E
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW61414222
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-220F-3
Описание

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6A, 600V, 0.16Ω, 10V, 2.5V
даташит

Datasheet

FCPF190N60E Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FCPF190N60E Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FCPF190N60E
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW61414222
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-220F-3
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.16 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	39 W
Пороговое Напряжение	2.5 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	600 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	20.6A
Время Нарастания	38 ns
Входная емкость (Ciss)	3175pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	39 W
Время падения	40 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	39W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.36 mm
Ширина	4.9 mm
Высота	9.19 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15

FCPF190N60E Описание продукта

The FCPF190N60E is a N-channel SuperFET® II high voltage super-junction MOSFET utilizes advanced charge-balance technology for outstandingly low ON-state resistance and lower gate charge. This advanced MOSFET is tailored not only to minimize conduction loss but also to achieve superior switching performance. Besides these advantages, it also provides extremely higher dV/dt rate and bigger avalanche energy than conventional super-junction MOSFETs. SuperFET II MOSFET is suitable for various switching power applications aiming for system miniaturization and higher efficiency.
Ultra low gate charge (Qg = 57nC)
Low effective output capacitance (Coss.eff = 160pF)
100% avalanche tested

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности