FQB5N90TM - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

FQB5N90TM
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW13816092
Категория

Труба MOS
Упаковка

TO-263-3
Описание

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB5N90TM Power MOSFET, N Channel, 5.4A, 900V, 1.8Ω, 10V, 3V
даташит

Datasheet

FQB5N90TM Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

FQB5N90TM Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	FQB5N90TM
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW13816092
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-263-3
Номинальное Напряжение (DC)	900 V
Номинальный Ток	5.40 A
Количество Стежков	3 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	1.8 Ω
Полярность	N-Channel
Рассеяние Мощности	158 W
Пороговое Напряжение	3 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	900 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	900 V
Пробивное Напряжение (Затвор-Исток)	±30.0 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	5.40 A
Время Нарастания	65 ns
Входная емкость (Ciss)	1550pF @25V(Vds)
Максимальная входная мощность	3.13 W
Время падения	50 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	3.13W (Ta), 158W (Tc)
	Развернуть все
Длина	10.67 mm
Ширина	9.65 mm
Высота	4.83 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99

FQB5N90TM Описание продукта

The FQB5N90TM is a N-channel QFET® enhancement-mode power MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
Low gate charge (31nC)
Low Crss (13pF)
100% avalanche tested

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности