IRF7324PBF - Infineon

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

IRF7324PBF
Производитель

Infineon
Чип воркер Часть №

CW11097303
Категория

Труба MOS
Упаковка

SOIC-8
Описание

SOIC P-CH 20V 9A
даташит

Datasheet

IRF7324PBF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}
Chipworker	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	{{stockAvailability}} {{ search_item }}	{{moq}}	-	6 - 8 {{delivery_date}}

IRF7324PBF Труба MOS характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	IRF7324PBF
Производитель	Infineon
Чип воркер Часть №	CW11097303
Категория	Труба MOS
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Surface Mount
Количество Выводов	8 Pin
Корпус/Пакет	SOIC-8
Номинальная Мощность	2 W
Количество Каналов	2 Channel
Количество Стежков	8 Position
Сопротивление Сток-исток (Открытого Канала)	0.018 Ω
Полярность	Dual P-Channel
Рассеяние Мощности	2 W
Пороговое Напряжение	1 V
Напряжение Сток-исток (Vds)	20 V
Пробивное Напряжение (Стока-исток)	20 V
Непрерывный Ток Стока (Ids)	9A
Время Нарастания	36 ns
Входная емкость (Ciss)	2940pF @15V(Vds)
Максимальная входная мощность	2 W
Время падения	190 ns
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	2 W
	Развернуть все
Длина	5 mm
Ширина	4 mm
Высота	1.5 mm
Рабочая Температура	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Not Recommended for New Designs
Упаковка	Tube
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Compliance Edition	2015/12/17

IRF7324PBF Описание продукта

The IRF7324PBF is a -20V dual P-channel new trench HEXFET® Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
Trench technology
Ultra low on-resistance
Dual P-channel MOSFET
Low profile (<1.1mm)
2.5V Rated

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности