Атрибут | Значение атрибута |
---|---|
Часть № | IXDN55N120D1 |
Производитель | IXYS Semiconductor |
ChipWorker Часть № | CW23602566 |
Категория | Транзистор IGBT |
даташит | Datasheet |
3D модель | 3D модель |
Стиль Монтажа | Surface Mount |
Количество Выводов | 4 Pin |
Корпус/Пакет | SOT-227-4 |
Количество Стежков | 4 Position |
Полярность | N-Channel |
Рассеяние Мощности | 450 W |
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер) | 1200 V |
Входная емкость (Cies) | 3.3nF @25V |
Максимальная входная мощность | 450 W |
Рабочая температура (Макс) | 150 ℃ |
Рабочая температура (мин) | -40 ℃ |
Рассеиваемая Мощность (Макс) | 450 W |
Развернуть все | |
Длина | 38.2 mm |
Ширина | 25.07 mm |
Высота | 9.6 mm |
Рабочая Температура | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
Жизненный Цикл Продукта | Active |
Упаковка | Tube |
RoHS Комплаенс | RoHS Compliant |
Бессвинцовая Статус | Lead Free |
REACH SVHC Compliance Edition | 2016/06/20 |
ECCN кодекс | EAR99 |