PN2222ATF - Fairchild

Изображения приведены только для примера, точные характеристики можно узнать из паспорта изделия.

Часть №

PN2222ATF
Производитель

Fairchild
Чип воркер Часть №

CW12466136
Категория

Двухполюсный плоскостной транзистор
Упаковка

TO-92-3
Описание

PN2222A Series 40V 1A Through Hole NPN General Purpose Amplifier - TO-92-3
даташит

Datasheet

PN2222ATF Глобальный поставщик

{{ supplierTable.supplier }}	{{ supplierTable.part }}	{{ supplierTable.availability }}	MOQ	{{ supplierTable.delivery_date }}

{{viewMore}}
{{viewMore}}
DigiKey	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Arrow	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
Mouser	{{noList.partNo}} {{noList.mfr}}	0 {{ search_item }}	-	{{outStock}}
					{{submitRFQ}}

PN2222ATF Двухполюсный плоскостной транзистор характеристики

Атрибут	Значение атрибута

Часть №	PN2222ATF
Производитель	Fairchild
Чип воркер Часть №	CW12466136
Категория	Двухполюсный плоскостной транзистор
даташит	Datasheet
Стиль Монтажа	Through Hole
Количество Выводов	3 Pin
Корпус/Пакет	TO-92-3
Частота	300 MHz
Номинальное Напряжение (DC)	40.0 V
Номинальный Ток	1 A
Номинальная Мощность	625 mW
Количество Стежков	3 Position
Полярность	NPN
Рассеяние Мощности	625 mW
Произведение Коэффициента Усиления на Ширину Полосы Пропускания	300 MHz
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)	40 V
Непрерывный ток коллектора	1A
hFE Min	100
hFE Max	300
Максимальная входная мощность	625 mW
Усиление постоянного тока (hFE)	35
Рабочая температура (Макс)	150 ℃
Рабочая температура (мин)	-55 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)	625 mW
	Развернуть все
Длина	5.2 mm
Ширина	4.19 mm
Высота	5.33 mm
Вес	0.0038401132584 kg
Рабочая Температура	150℃ (TJ)
Жизненный Цикл Продукта	Active
Упаковка	Tape & Reel (TR)
RoHS Комплаенс	RoHS Compliant
Бессвинцовая Статус	Lead Free
REACH SVHC Комплаенс	No SVHC
REACH SVHC Compliance Edition	2015/06/15
ECCN кодекс	EAR99

PN2222ATF Описание продукта

The PN2222ATF is a 40V NPN Bipolar (BJT) Single Transistor for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. This product is general usage and suitable for many different applications.
75V Collector to base voltage (VCBO)
6V Emitter to base voltage (VEBO)
83.3°C/W Thermal resistance, junction to case
200°C/W Thermal resistance, junction to ambient
60ns Fall time (TA = 25°C)

Развернуть все

Доставка

CDEK

Itella

SHIPTOR

SPSR-EXPRESS

Чип воркер Квалификация

Информация для заказа

Заказ Оплата Доставка Пакет Обеспечение качества

Данные условия носят справочный характер, фактические условия зависят от предложения продавца.
- Пожалуйста, уточняйте технические характеристики продукции при заказе.
- MOQ - минимальное количество заказа, необходимое для приобретения каждой детали.
- Если у вас есть особые инструкции по заказу, пожалуйста, укажите их на странице заказа.
- При заказе будет использоваться предотгрузочная инспекция.
- Вы можете проверить статус заказа в разделе «Мои заказы» вашего личного кабинета.
- Заказы не могут быть отменены после того, как посылка была отправлена. Узнать больше >
- работает как с физическими так и с юридическими лицами. Узнать больше >
- Все цены на сайте указаны с НДС 20%.
- Счета выставляются в валюте, оплата производится в рублях по курсу на день оплаты.
- Если вам нужен подробный счет-фактура или налоговый идентификатор, пожалуйста, напишите нам.
- После отправки товара в Россию доставка займет от 1 до 2 недель.
- Обработка Вашего заказа осуществляется только после оплаты счета.
- Номер для отслеживания будет выслан после отправки заказа. (Для отображения информации перевозчиком может потребоваться до 24 часов). Узнать больше >
- Тщательно проверено и упаковано компанией Чип воркер
- Вакуумная упаковка
- Антистатическая упаковка
- Антивибрационный пенопласт
- Контроль качества доходов, 800+ квалифицированных дистибьюторов.
- Авторитеты проверяют микросхему, чтобы гарантировать качество, подлинность и безопасность вашего устройства.
- Контроль декапсуляции
- Рентгеновский контроль
- XRF-инспекция
- Электрические испытания
- Тестирование поверхности